上海靈歐電阻器有限公司
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線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用 當(dāng)前位置:首頁 > 行業(yè)新聞 > 線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用

線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用


 近二十年來,電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進(jìn)步在減小設(shè)備尺寸的同時(shí),也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。

    在這些器件中,晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求,并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻,減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及,晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括 ESD 保護(hù)、熱電動勢、電阻熱系數(shù)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。

    以下技術(shù)對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請注意,線繞電阻沒有晶片型,因此,受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應(yīng)用不使用這種電阻。

    盡管升級每個(gè)組件或子系統(tǒng)可以提高整體性能,但整體性能仍是由組件鏈中的短板決定的。系統(tǒng)中的每個(gè)組件都具有關(guān)系到整體性能的內(nèi)在優(yōu)缺點(diǎn),特別是短期和長期穩(wěn)定性、頻響和噪聲等問題。分立式電阻行業(yè)在線繞電阻、厚膜電阻、薄膜電阻和金屬箔電阻技術(shù)方面取得了進(jìn)步,而從單位性能成本考慮,每種電阻都有許多需要加以權(quán)衡的因素。

    精密線繞電阻

    線繞電阻一般分為“功率線繞電阻”和“精密線繞電阻”。功率線繞電阻使用過程中會發(fā)生很大變化,不適于精密度要求很高的情況下使用。因此,本討論不考慮這種電阻。

    線繞電阻的制作方法一般是將絕緣電阻絲纏繞在特定直徑的線軸上。不同線徑、長度和合金材料可以達(dá)到所需電阻和初始特性。精密線繞電阻 ESD 穩(wěn)定性更高,噪聲低于薄膜或厚膜電阻。線繞電阻還具有 TCR 低、穩(wěn)定性高的特點(diǎn)。

    線繞電阻初始誤差可以低至 ± 0.005 %。TCR 可以達(dá)到 3 ppm/°C典型值。不過,降低電阻值,線繞電阻一般在15 ppm/°C 到 25 ppm/°C。熱噪聲降低,TCR 在限定溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到 ± 2 ppm/°C 。

    線繞電阻加工過程中,電阻絲內(nèi)表面收縮,而外表面拉伸。這道工藝產(chǎn)生永久變形 — 相對于彈性變形或可逆變形,必須對電阻絲進(jìn)行退火。永久性機(jī)械變化會造成電阻絲和電阻電氣參數(shù)任意變化。因此,電阻元件電性能參數(shù)存在很大的不確定性。

    由于線圈結(jié)構(gòu),線繞電阻成為電感器,圈數(shù)附近會產(chǎn)生線圈間電容。為提高使用中的響應(yīng)速度,可以采用特殊工藝降低電感。不過,這會增加成本,而且降低電感的效果有限。由于設(shè)計(jì)中存在的電感和電容,線繞電阻高頻特性差,特別是 50 kHz 以上頻率。

    兩個(gè)額定電阻值相同的線繞電阻,彼此之間很難保證特定溫度范圍內(nèi)精確的一致性,電阻值不同,或尺寸不同時(shí)更為困難。這種難度會隨著電阻值差異的增加進(jìn)一步加劇。以1-kΩ 電阻相對于100-kΩ 電阻為例,這種不一致性是由于直徑、長度,并有可能由于電阻絲使用的合金不同造成的。而且,電阻芯以及每英寸圈數(shù)也不同—機(jī)械特性對電氣特性的影響也不一樣。由于不同的電阻值具有不同的熱機(jī)特性,因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣,設(shè)計(jì)的電阻比在設(shè)備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR 特性和比率對于高精度電路極為重要。

    薄膜電阻

    薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為 50 A 至 250 A 的金屬沉積層組成。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或 Bulk Metal金屬箔電阻,而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時(shí),薄膜電阻更為經(jīng)濟(jì)并節(jié)省空間。

    它們具有最佳溫度敏感沉積層厚度,但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。因此,采用各種沉積層厚度可以實(shí)現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因?qū)崿F(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同,因此在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外,改變最佳薄膜厚度還會嚴(yán)重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化,因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。

    厚膜電阻

    如前所述,受尺寸、體積和重量的影響,線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻,但由于具有更高的電阻密度且成本更低,厚膜電阻得到廣泛使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣,厚膜電阻頻響速度快,但在目前使用的電阻技術(shù)中,其噪聲最高。雖然精度低于其他技術(shù),但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù),是由于其廣泛應(yīng)用于幾乎每一種電路,包括高精密電路中精度要求不高的部分。

發(fā)布人:電阻器廠家 來源:motherswaybirthing.com 時(shí)間:14-02-19
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